Photodetector and method of manufacturing same

受光素子および受光素子の作製方法

Abstract

【課題】紫外領域に受光領域を有し、機能層の転位が低減されてなるとともに、受光効率に優れた受光素子を作製する方法を提供する。 【解決手段】サファイア単結晶基材1aの上にAlN層1bを有するテンプレート基板1上に、III族窒化物によって下地層2と機能層3とをMOCVDにて形成することで受光素子10を得る。上端層2cと機能層3とは300nm以下の波長の光を透過させるAlGaNにて形成する。下端層2aは、これよりもAlリッチなAlGaNにて形成する。傾斜組成層2bは、傾斜組成を有し、上下端の組成が上端層2cと下端層2aとに一致するように形成する。下端層2aは、900℃〜1100℃の第1形成温度にて形成し、残りの層は、これに連続して、第1形成温度よりも高い1100℃〜1280℃の第2形成温度にて形成する。Al混晶比が高い機能層3ほど、優れた転位低減効果が得られる。 【選択図】図1
<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a photodetector having a photo-reception region in the ultraviolet region, reduced dislocation in a functional layer, and excellent photo-receiving efficiency. <P>SOLUTION: The photodetector 10 is obtained by forming an underlying layer 2 and a functional layer 3 consisting of a group III nitride on a template substrate 1 according to MOCVD wherein the template substrate 1 having an AlN layer 1b on a sapphire single crystal base 1a. The upper end layer 2c and the functional layer 3 are formed of AlGaN which transmits light having a wavelength ≤300 nm. The lower end layer 2a is formed of AlGaN richer in Al than it. The gradient composition layer 2b has a gradient composition and is so formed that the compositions of the upper and lower ends thereof coincide the compositions of the upper end layer 2c and the lower end layer 2a respectively. The lower end layer 2a is formed at a first forming temperature of 900-1,100°C, and the remaining layers are formed at a second forming temperature of 1,100-1,280°C higher than the first forming temperature. The functional layer 3 having higher Al mixed crystal ratio can obtain more excellent dislocation reduction effect. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

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